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摘要
MOCVD是一个庞大的系统,生长的过程中同时发生着许多物理和化学现象。半导体薄膜的生长与MOCVD系统本身的结构设计、反应物的选择、各项生长参数(例如反应室压力、衬底温度、气体流量等)、生长步骤等紧密相关,所有这些因素共同作用,达到理想状态才能得到高质量的薄膜。本发明的目的在于提供一种氧化锌MOCVD设备间歇式喷淋工艺调整薄膜生长均匀性的方法,通过计算机对符合实验结果的MOCVD设备模型进行数值模拟,对MFC入口开关进行间歇式控制,从而直观看出间歇式控制对MOCVD薄膜生长均匀性的影响。
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