高压DDDMOS的设计及优化

作者：游淑民

来源：三明学院学报, 2018, 35(04): 39-46.

DOI：10.14098/j.cn35-1288/z.2018.04.006

• 高压DDDMOS
• resurf技术
• 击穿电压
• 优化

通过Silvaco TCAD软件,对DDDMOS进行工艺仿真,形成漂移区长度为2μm的DDDMOS器件结构;在这个基本结构上,通过减小gate尺寸来缩小整个DDDMOS器件面积,同时改变结深和漂移区的浓度来提高DDDMOS的击穿电压。最终的分析和仿真结果得到gate尺寸为2μm,结深为2.3μm,漂移区浓度为3e15cm-3的DDDMOS器件结构,并且其击穿电压达到26.3V,阈值电压为1.2V。其耐压达到了22V以上。本文中所研究的参数具有对原有工艺的兼容性,因此成果可应用于实际工艺中。