摘要
为了降低CsPbBr3钙钛矿纳米晶的Pb2+毒性,同时优化Sn2+掺杂CsPbBr3纳米晶的发光性能,采用热注入法合成了Sn2+掺杂的Cs Pb1-xSnx Br3纳米晶(x=0.1、0.2、0.3、0.4和0.5),使用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和荧光光谱仪(PL)对所合成纳米晶的物相结构、微观形貌及发光性能进行表征。结果表明,纳米晶中掺杂的Sn元素以Sn2+和Sn4+形式存在,且含有Pb2+阳离子空位,当x=0.3时,Sn元素实际掺杂物质的量分数高达43.91%。x=0.1~0.4时,纳米晶为纯单斜相钙钛矿结构,尺寸约16~20 nm,立方块形貌较均匀。Sn2+掺杂调控了Cs Pb1-xSnx Br3纳米晶的光谱性能,当x=0.3时,Cs Pb0.7Sn0.3Br3纳米晶荧光发射峰位于523 nm,半峰宽最窄达15 nm,荧光寿命长达86.3 ns,荧光强度最强,是一种具有应用潜力的绿光半导体材料。
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