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摘要
提出了一种新颖的分段线性补偿带隙基准,该补偿技术通过巧妙地运用带隙输出电压与三极管开启电压VBE的关系来实现。电路设计中,考虑了基准电压的电源抑制特性、线性调整率、电路的稳定性、功耗、芯片面积等各方面的因素,使得该电路很适合工程应用。全电路由BiCMOS工艺实现,并通过HSPICE仿真。结果表明,基准输出电压约1.169V,有效温度系数仅为2.1×10-6/℃;室温下,电源抑制比为63dB@1kHz,功耗70μW(3V电源)。
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单位电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学
