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摘要
采用低压化学气相沉积方法，通过改变工艺气体配比，在硅衬底上生长低应力氮化硅薄膜。用应力仪、椭偏仪对生成的氮化硅薄膜的应力、生长速率、均匀性、折射率及腐蚀速率等进行实验。实验结果表明：低应力氮化硅薄膜制备的关键是增大DCS和NH3的配比，配比越大，生成的氮化硅薄膜应力越小，折射率越大，耐酸腐蚀能力越强，致密性越好；但随着配比增大，生成的氮化硅薄膜均匀性变差。选择合适的工艺气体配比可在硅衬底上制备出高质量的低应力氮化硅薄膜。
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采用低压化学气相沉积方法，通过改变工艺气体配比，在硅衬底上生长低应力氮化硅薄膜。用应力仪、椭偏仪对生成的氮化硅薄膜的应力、生长速率、均匀性、折射率及腐蚀速率等进行实验。实验结果表明：低应力氮化硅薄膜制备的关键是增大DCS和NH3的配比，配比越大，生成的氮化硅薄膜应力越小，折射率越大，耐酸腐蚀能力越强，致密性越好；但随着配比增大，生成的氮化硅薄膜均匀性变差。选择合适的工艺气体配比可在硅衬底上制备出高质量的低应力氮化硅薄膜。
