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摘要
本发明公开一种基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法,所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层,其中,在势垒层的上表面两侧包括源电极和漏电极；势垒层的上表面以及源电极和漏电极的上表面包括SiN钝化层,在SiN钝化层上开设有栅脚区域凹槽,栅脚区域内部以及SiN钝化层上表面设置有P-GaN帽层；P-GaN帽层上设置有Fin结构；栅脚区域凹槽内部以及Fin结构上表面形成浮空T型栅电极；源电极和漏电极上方分别设置有金属互联层。本发明利用P-GaN帽层和Fin结构实现增强型射频器件,并且器件的跨导较大,减小对沟道载流子浓度以及迁移率的影响,使得输出电流较大,电流崩塌效应减弱,使得器件的射频特性较好。
- 单位
