一种二维g-C-3N-4纳米片膜及其电化学制备方法与在离子分离中的应用

作者：薛健; 张娅; 王海辉

来源：2022-01-20, 中国, ZL202210063648.8.

本发明公开一种二维g-C-3N-4纳米片膜及其电化学制备方法。该制备方法,包括如下步骤：(1)将三聚氰胺、氢氧化钠与水按照质量体积比为(1～3)g：(0.5～1)g：(50～100)mL混合均匀,作为电解液；以铂片为电极,电压的大小为3～10V的直流电源,通电反应1～3h,将反应后的电解液经离心、透析处理,获得g-C-3N-4纳米片溶液；(2)将处理过的有孔基底放在U型槽的中间固定,在两端插入碳板作为电极,U型槽的一侧加入g-C-3N-4纳米片溶液,另一侧加入超纯水,通电进行电泳沉积,沉积完成后,取出基底,进行干燥处理,获得二维g-C-3N-4纳米片膜。该二维g-C-3N-4纳米片膜对离子具有较高的拦截效果。

• 单位
  华南理工大学