摘要
为了提高玻璃片上SiO2/Ag/SiO2复合膜的耐腐蚀性能,用磁控溅射法在其上制备了TiNx薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)研究了TiNx薄膜的结构及表面形貌;参照GB/T5137.3-2002电子产品硫化氢腐蚀的检验方法研究了TiNx/SiO2/Ag/SiO2低辐射膜耐H2S气体的腐蚀性能。结果表明:TiNx/SiO2/Ag/SiO2低辐射膜中,TiNx薄膜为较致密的非晶态结构,其厚度达到10 nm以上才能对Ag膜起到很好的保护作用;低辐射膜腐蚀前后的平均透过率变化不到5%;低辐射膜被H2S气体腐蚀后的产物主要为Ag2S和H2O,水分子的生成对其腐蚀有推动作用。
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