摘要
本发明提出了一种复合介质层(Composite Dielectric Layer,CDL)纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-VDMOS)及其制作方法,该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)和高介电常数(High K)介质层组成的复合介质层。器件关断时SIPOS柱与High K介质层上具有均匀的电场,通过电场调制使得器件的超结漂移区内电场分布均匀。同时,复合介质层和超结共同辅助耗尽超结漂移区,大幅提高了超结漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加,降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层,使得器件的导通电阻进一步降低。
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