高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

作者：王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋**; 陈良惠

来源：光电子-激光, 2008, 19(3).

DOI：10.3321/j.issn:1005-0086.2008.03.006

• InGaAs/GaAsP
• 应变补偿
• 垂直腔面发射激光器(VCSEL)

利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响.理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益.按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合.

• 单位
  中国科学院