ZnO基MIS结构器件制备工艺与性能实验设计

作者：咸冯林; 徐林华; 郑改革; 赵立龙; 裴世鑫

来源：实验室研究与探索, 2022, 41(12): 19-33.

DOI：10.19927/j.cnki.syyt.2022.12.005

• 多量子阱
• 金属-绝缘体-半导体结构
• 光电器件

基于第3代氧化物半导体材料设计了一种金属-绝缘体-半导体(MIS)结构器件制备与表征的综合性实验。通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在C面蓝宝石衬底上合成了ZnO/ZnMgO多量子阱/ZnO结构，采用磁控溅射法分别在300、400和500℃下沉积厚度为50 nm的MgO绝缘层。采用紫外曝光、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和电子束蒸发工艺制备了MIS结构器件，器件具有良好的整流特性。

• 单位
  南京信息工程大学