Kirk曝光方法在光刻机杂散光测试中的应用研究

作者：张家锦

来源：集成电路应用, 2020, 37(04): 28-31.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2020.04.009

• 集成电路制造
• 光刻机
• 曝光方法
• Kirk
• 杂散光

结合 Kirk 的测试原理,基于实际的光刻机应用工况,通过工艺试验、计算仿真等手段建立有效的数据模型,有助于准确地把握杂散光的影响规律。经分析表明,杂散光对不同尺寸图形的影响具有特定的规律,可以通过工艺曝光方法进行准确测量和表征,所测得的图形尺寸与杂散光测试剂量之间的关系在小尺寸段符合线性规律,在大尺寸段符合指数规律,基于这一特征规律进一步指导与优化了杂散光的测试方案,从而实现更准确、更高效地监控光刻机杂散光性能的目的。