本发明公开了一种掺杂型金属氧化物半导体,该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌半导体,该掺杂型金属氧化物半导体可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下,有效抑制薄膜中的氧空位浓度,其迁移率可以保持在较高的值；关键的,形成的薄膜能避免光照对I-V特性和稳定性的影响,大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供该掺杂型金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。
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