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摘要
窄线宽激光器在相干激光通信、相干探测激光雷达、高精度分布式光纤传感等领域有着重要而广泛的应用。高品质因子（Q值）氮化硅（Si3N4）微环谐振腔可提供积累的离散分布光反馈，将其与分布式反馈（DFB）半导体激光器进行混合集成，可获得高集成度的片上窄线宽光源，有望应用于硅基光电子芯片的系统级集成。2021年，美国UCSB大学基于Q值为10～8的Si3N4微环谐振腔的背向瑞利散射实现了自注入锁定（SIL），获得Hz量级的本征线宽；2021年，清华大学在Q值为8×10～5的Si3N4微环谐振腔中制备孔缺陷，背向瑞利散射强度得到增强，得到了更优的噪声抑制
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