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摘要
带隙渐变纳米线探测器在片上光谱仪等方面有潜在应用前景,如何提高探测器性能是实现其实际应用的关键。本文采用紧凑石墨烯-CdSxSe1-x纳米线-金结构,制备了具有4.6×103A/W响应度的石墨烯-CdSxSe1-x纳米线肖特基结探测器。带隙渐变的纳米线具有梯形的能带结构,在探测过程中,利用漏斗效应,增加了光和物质相互作用,提高了探测性能。石墨烯电极的引入使探测器电极与纳米线间形成了良好的欧姆接触,同时也减小了光吸收损耗,提高了探测器的光响应。轴向肖特基结结构的引入有助于减小器件面积,对于高集成度、高响应微型光电探测器件的制备有一定的参考意义。
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