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摘要
本发明属于半导体材料制备技术领域,公开了一种热蒸发法制备高质量少层氧化亚锡晶体的方法。以锡粉作为源材料,放置于管式炉中心加热区,将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体,放置在距源材料14～18cm处；将管式炉内抽真空,然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为500～800℃进行热蒸发沉积,在衬体上得到氧化亚锡晶体。本发明利用锡粉在高温时发生热氧化反应制得氧化亚锡(2Sn+O2＝2SnO)。这种方法操作简单,所需的药品以及仪器都是普通常见的,不需要作特殊处理。并且所制得的树枝形氧化亚锡晶体形状规则。
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