太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究

作者：米贤武; 曹俊诚

来源：稀有金属, 2004, (03): 585-587.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2004.03.038

• 光吸收谱
• 量子阱
• 太拉赫兹 optical absorption spectrum
• quantum well
• terahertz

用密度矩阵理论 ,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 ,由于量子约束斯塔克效应 ,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 ,吸收谱出现恶歇分裂 ,并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中科院上海微系统与信息技术研究所