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摘要
本实用新型公开了一种GaN基级联型功率器件,包括引脚框架,所述引脚框架包括基岛,与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚；基岛的上表面连接PCB板,所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘,凹槽焊盘的上表面连接硅基器件,第二凹槽的上表面连接GaN功率器件；PCB板上表面设有焊盘,硅基器件与焊盘电气连接,焊盘与栅极电极引脚电气连接,GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接；PCB板上表面还设有通孔,硅基器件与GaN功率器件分别和通孔电气连接。GaN基级联型功率器件的制备工艺简单、易于实现、散热性能好。
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