TiO2/ZnO双层电子传输层的制备及光电化学性能

作者：竹笛; 李新利; 任凤章^*

来源：现代化工, 2019, 39(08): 129-133.

DOI：10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2019.08.027

• TiO2纳米棒阵列
• TiO2/ZnO双层电子传输层
• 水热法
• ZnO水热生长时间
• 光电性能

首先在氟掺杂的氧化锡导电玻璃(FTO)上水热生长一层TiO2纳米棒阵列薄膜,然后通过旋涂法旋涂ZnO籽晶层后水热法生长ZnO纳米棒得到TiO2/ZnO纳米棒阵列薄膜。通过XRD、SEM、PL、UV-Vis和电化学工作站等对单层TiO2纳米棒和TiO2/ZnO纳米棒的结构、表面形貌、荧光性能、光吸收强度以及光电化学性质进行表征。结果表明,随着水热生长ZnO时间的增长,ZnO纳米棒密度增加; ZnO纳米棒的生长时间不同使其荧光强度不同,TiO2/Zn O纳米棒的荧光强度与单层TiO2纳米棒相比有着微小的减弱,没有明显的衍射峰; TiO2/ZnO纳米棒复合材料比单层TiO2的光吸收强度高,提高其光学性能,但是吸光区域都在紫外光区域;在标准模拟太阳光照射下,TiO2/Zn O纳米棒的光电流为0. 002 m A,单层TiO2纳米棒的光电流为0. 006 m A,复合薄膜的电流有着明显的变化。

• 单位
  河南科技大学