TSV的电磁-热-结构耦合分析研究

作者:黄琼琼; 尚玉玲; 张明; 李春泉; 邝小乐
来源:电子元件与材料, 2015, 34(04): 74-78.
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.04.018

摘要

基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分"弱"解形式,研究了TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV的温度和等效应力分布情况。仿真结果表明,在考虑三场耦合的情况下得到的结果更为准确,这将有助于TSV的设计及对其性能进行相应的预测。

全文