基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分"弱"解形式,研究了TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV的温度和等效应力分布情况。仿真结果表明,在考虑三场耦合的情况下得到的结果更为准确,这将有助于TSV的设计及对其性能进行相应的预测。