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摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，构建了Sm、Sb及Sm和Sb共掺杂SnO2超晶胞模型，研究了经过几何优化后的各掺杂体系的焓变值、能带结构、态密度、电荷布居、介电常数、吸收系数、反射率等光电性质.结果表明：Sm和Sb的掺杂可以有效地提升SnO2的导电性能，且Sb和Sm共掺杂体系的电学性能最佳. Sm和Sb掺杂还可以增加SnO2在红外波段的电子极化能力和电子跃迁概率，提升了红外反射率，且共掺杂体系的电子束缚能力最强、反射率最高.这为SnO2基光电材料的研制提供了一定的理论依据.
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单位中国人民解放军陆军工程大学
