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摘要
集成微波光子技术具有宽带性、高速性、小巧性和抗干扰性等一系列优势,是未来宽带信息系统发展的关键技术路径之一。其中,硅基单片集成和硅基异质集成是集成微波光子技术的两个重要研究内容。本文通过分析基于硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)和III-V化合物等材料体系的光子单片集成和异质集成器件的研究现状,探讨了集成微波光子系统的发展趋势。本文认为:面向宽带信息系统,以硅材料为基底,多种材料体系进行异质集成,能够兼容COMS工艺的同时,还能充分发挥各种材料性能优势,因此将会成为未来集成微波光子学的重要发展趋势。
