载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响

作者：徐亚东; 王昌盛; 谷亚旭; 郭榕榕; 苏春磊; 介万奇

来源：功能材料, 2014, 45(24): 24078-24086.

DOI：10.3969/j.issn.1001-9731.2014.24.016

• CdZnTe
• 时间响应
• 脉冲X射线
• 载流子
• 俘获中心

采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.2 mm时,随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间。

• 单位
  南京大学; 凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学; 固体微结构物理国家重点实验室; 西北核技术研究所