摘要
为改善席夫碱铂(Ⅱ)配合物因聚集猝灭引发的性能低下问题,在其外围引入大位阻苯基基团,合成了两种新型席夫碱铂(Ⅱ)配合物SPtA和SPtB,对其进行1H NMR、13C NMR、HRMS表征,并选取SPtB作为掺杂客体材料,采用真空蒸镀法制备了一系列器件进行光电性质研究。结果表明,SPtA和SPtB的热分解温度分别为395℃和420℃,最大发射波长均为632 nm,光致发光量子产率(PLQY)分别达到45%和47%。通过对发光层结构的优化,以4,4′,4′′-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、3,3′-[5′-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1′∶3′,1′′-三联苯]-3,3′′-二基]二吡啶(TmPyPB)作为混合主体,发光层厚度为30 nm,SPtB的掺杂浓度为3%(质量分数)制备的器件获得了10.5 cd/A的最大电流效率,7.2 Im/W的最大功率效率和9.6%的最大外量子效率(EQE)。该器件的最大发射波长为630 nm,CIE坐标为(0.64,0.35),为高色纯度的红色磷光OLED器件。研究表明,在席夫碱铂(Ⅱ)配合物的外围引入大位阻苯基,可起到减少分子聚集的作用,提升分子性能。
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