一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

作者：于洋; 赵骞; 邵志标

来源：半导体学报, 2006, (2): 318-322.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.02.023

• SRAM/SOI
• 存储单元
• 自体偏压
• 低压低功耗

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.

• 单位
  西安交通大学