运用求解任意势中波函数与转移矩阵相结合的方法,计算得到流体静压下应变ZnCdSe/ZnSe双势垒电子隧穿的共振能级、波函数和透射系数。考虑晶格常数、有效质量及体弹性模量等参量的压力效应对电子隧穿的影响。数值结果显示,与无静压比较,势垒的高度增加,则电子有效质量减小,导致共振峰向高能区移动,但峰值高度不变。此外,给出势阱有无静压的两种情形下的波形图,通过对比,可以进一步看出静压对ZnCdSe/ZnSe电子隧穿的影响。
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