Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响

作者：姚宁; 邢宏伟; 穆慧慧; 崔娜娜; 葛亚爽; 王英俭; 张兵临

来源：真空科学与技术学报, 2011, (02): 144-148.

• 掺铝氧化锌
• 缓冲层
• Al2O3
• 有机电致发光器件 Al-doped ZnO
• Buffer layer
• Al2O3
• Organic light-emitting diodes

采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。

• 单位
  郑州大学; 中国科学院安徽光学精密机械研究所; 中国科学院，安徽光学精密机械研究所