离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响

作者：刘强; 张晓波; 邬融; 田杨超; 李永平

来源：光电工程, 2007, 34(11): 50-54+60.

DOI：10.3969/j.issn.1003-501X.2007.11.011

• 衍射光学元件
• 误差面形
• 掩模套刻
• 离子束刻蚀

针对衍射光学元件(DOE)的离子束刻蚀工艺,结合掩模套刻过程实例,本文提出了刻蚀误差面形分布的概念。在标量衍射的夫琅和费原理上,进行了误差数值模拟分析及讨论。模拟分析和实验数据结果表明,误差的面形分布在DOE器件的衍射焦斑中心会产生一个明显的光强畸变毛刺亮点,严重破坏了靶场照明的均匀性。

• 单位
  中国科学技术大学; 中国科学院