基于自对准场板结构的氮化镓增强型垂直功率晶体管

作者：何云龙; 马晓华; 郝跃; 王冲; 郑雪峰

来源：2018-11-01, 中国, ZL201811296708.0.

本发明涉及一种基于自对准场板结构的氮化镓增强型垂直功率晶体管,包括：漏极；自支撑Si掺杂GaN衬底,位于漏极上；n型GaN层,位于自支撑Si掺杂GaN衬底上；n型GaN渡越层,位于n型GaN层上；n型GaN沟道层,位于n型GaN渡越层上；第一介质层,位于n型GaN渡越层上；栅极,位于第一介质层上；第一场板,位于n型GaN渡越层上；第二场板,位于第一介质层上；n型GaN接触层,位于n型GaN沟道层上；源极,位于n型GaN接触层上。本发明实施例的基于自对准场板结构的氮化镓增强型垂直功率晶体管解决了高击穿电压与低导通电阻难以兼顾的技术难点,从而得到高击穿电压、低导通电阻、高可靠性的垂直功率器件。

• 单位
  西安电子科技大学