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摘要
为探索多晶硅太阳能电池的辐照损伤机理,采用实验和蒙特卡洛模拟方法,对多晶硅太阳能电池进行了电子辐照效应研究。运用CASINO程序模拟了不同注量的电子束在多晶硅太阳电池的射程和能量损失分布,从理论上分析太阳能电池受电子束辐照后的损伤情况。通过实验检测,进行缺陷太阳能电池EL图像及电池的伏安特性分析。结果表明,多晶硅太阳能电池受到电子辐照后,在电池内部产生缺陷,进而造成电池的电学性能退化,而随辐照注量增加,产生的缺陷越多,电学性能退化越大。
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为探索多晶硅太阳能电池的辐照损伤机理,采用实验和蒙特卡洛模拟方法,对多晶硅太阳能电池进行了电子辐照效应研究。运用CASINO程序模拟了不同注量的电子束在多晶硅太阳电池的射程和能量损失分布,从理论上分析太阳能电池受电子束辐照后的损伤情况。通过实验检测,进行缺陷太阳能电池EL图像及电池的伏安特性分析。结果表明,多晶硅太阳能电池受到电子辐照后,在电池内部产生缺陷,进而造成电池的电学性能退化,而随辐照注量增加,产生的缺陷越多,电学性能退化越大。
