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摘要
半导体材料体系经历了三次重要迭代，在微电子、通信、人工智能、碳中和等重要领域得到了广泛应用。随着高新技术的快速发展，锑化物半导体作为最具发展前景的第四代半导体材料之一，在开发下一代高性能、小体积、低功耗、低成本的红外光电器件领域具有独特的优势和广阔的应用前景。综述了锑化物半导体激光器的的发展过程和国内外的研究现状，分析了器件结构设计、材料外延、模式选择、波长扩展等关键问题，采用分子束外延技术生长了高性能锑化物量子阱激光器，阐述了实现大功率、单模、高光束质量的锑化物激光器的设计方案和关键工艺技术。最后对兼具低成本、高成品率、大功率等优异特性的单模锑化物激光器的研究前景进行了展望。
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