Mo掺杂Cu3Ti2Ta2O12陶瓷的介电性能研究

作者:刘洋; 黎嘉豪; 田长安; 贺图升; 王操
来源:电工材料, 2023, (03): 32-36.
DOI:10.16786/j.cnki.1671-8887.eem.2023.03.008

摘要

本研究采用固相烧结法制备了Mo掺杂Cu3Ti2Ta2O12陶瓷,研究了其微观结构、复阻抗及介电性能。结果表明:所有Cu3Ti2Ta2-xMoxO12陶瓷均形成了类钙钛结构CTTO晶相,且Mo掺量增加时存在TiO2第二相。Mo的掺杂促进了CTTO陶瓷晶粒的生长,增大了样品的ε′,降低了tanδ。Rgb值也逐渐增加,提高了φb,晶界电性能得到了增强,显著改善了材料的介电性能。

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