本研究采用固相烧结法制备了Mo掺杂Cu3Ti2Ta2O12陶瓷,研究了其微观结构、复阻抗及介电性能。结果表明:所有Cu3Ti2Ta2-xMoxO12陶瓷均形成了类钙钛结构CTTO晶相,且Mo掺量增加时存在TiO2第二相。Mo的掺杂促进了CTTO陶瓷晶粒的生长,增大了样品的ε′,降低了tanδ。Rgb值也逐渐增加,提高了φb,晶界电性能得到了增强,显著改善了材料的介电性能。