宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状

作者：唐林江; 万成安; 张明华; 李莹

来源：军民两用技术与产品, 2020, (03): 20-28.

DOI：10.19385/j.cnki.1009-8119.2020.03.004

<正>一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、金刚石等材料,其具有禁带宽度大、抗辐射能

• 单位
  北京卫星制造厂有限公司