溅射功率及退火处理对Ga2O3薄膜特性的影响

作者：尹传磊; 刘佳鑫; 赵洋^*

来源：河南科技大学学报(自然科学版), 2022, 43(02): 92-10.

DOI：10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2022.02.014

• Ga2O3
• 磁控溅射
• 溅射功率
• 退火处理

采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2O3薄膜，研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响。研究结果表明：当溅射功率为90 W时，Ga2O3薄膜的(-402)衍射峰最强，薄膜结晶质量最好。退火后Ga2O3薄膜的结晶度均有所加强。随着溅射功率的增加，Ga2O3薄膜变得均匀致密，但溅射功率过高反而影响成膜质量。Ga2O3薄膜吸收边在250 nm附近，在Ga2O3可见光区域透过率可达85%以上，且在450～500 nm处接近100%。退火处理可以进一步提高薄膜的透过率。Ga2O3薄膜的禁带宽度随溅射功率的提高而减小，分布在4.8～5.0 eV,且退火后禁带宽度整体减小。这表明退火处理使得大部分Ga2O3转化为最稳定的β相。

• 单位
  河南科技大学