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摘要
本发明公开了一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其热氮化形成方法,所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN,其中X为Ni、Ni/Ti/Ni或Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属中的一种以上。本发明避免了高温制备帽层金属层TiN过程,降低了工艺温度和工艺复杂程度,简化了工艺流程,同时低温提升了工艺的兼容性,有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。
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本发明公开了一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其热氮化形成方法,所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN,其中X为Ni、Ni/Ti/Ni或Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属中的一种以上。本发明避免了高温制备帽层金属层TiN过程,降低了工艺温度和工艺复杂程度,简化了工艺流程,同时低温提升了工艺的兼容性,有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。
