亚65nm及以下节点的光刻技术

作者：徐晓东; 汪辉

来源：半导体技术, 2007, 32(11): 921-925.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.001

• 亚65nm
• 浸入式光刻
• 极紫外线
• 电子束直写
• 分辨率增强技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。

• 单位
  上海交通大学