氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法

作者：毛维; 刘晓雨; 杨翠; 高北鸾; 王海永; 杜鸣; 马佩军; 张进成; 郝跃

来源：2020-12-31, 中国, CN202011644255.3.

本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法,主要解决现有氮化镓基器件有电流崩塌和实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)；该势垒层左侧边缘设有源槽(7),其上部淀积有源极(9),右侧边缘设有漏槽(8),其上部淀积有漏接触(10),势垒层上部设有栅岛(4),其上部淀积有栅极(14)；该栅岛右边势垒层上设有浮岛(5)和漏岛(6),该浮岛上部淀积有浮岛金属(11),该漏岛上部淀积有漏岛金属(12),且浮岛与漏接触之间设有凹槽(13),其内部和上部淀积有肖特基接触(15)。本发明正向阻断与反向阻断好,抑制电流崩塌强,可作为高可靠功率电子系统的基本器件。

• 单位
  西安电子科技大学