22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究

作者：王保顺; 崔江维; 郑齐文; 席善学; 魏莹; 雷琪琪; 郭旗^*

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(05): 384-388.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.05.012

• 鳍式场效应晶体管
• 热载流子注入效应
• 总剂量效应

为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所