一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法

作者：张志浩; 施永明; 王俊; 马斌

来源：科学技术与工程, 2014, 14(21): 234-238.

• 四探针
• Rymaszewski法
• 高温
• 薄膜
• 多晶硅
• Pt
• 电阻温度系数

介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性。

• 单位
  中国科学院; 中科院上海技术物理研究所