一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法

作者：马晓华; 祝杰杰; 郭静姝; 徐佳豪; 赵旭; 宓珉瀚

来源：2021-11-23, 中国, CN202111397913.8.

本发明涉及一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法,方法包括：在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上利用MOCVD沉积原位氮化硅层；在氮化硅层上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；在凹槽中生长重掺杂的n～+材料；制备源漏金属电极；利用刻蚀工艺去除SiN层上的n～+材料；在钝化层上制备凹槽；在凹槽上制备栅电极；进行金属互连。本发明可以明显降低器件的导通电阻。

• 单位
  西安电子科技大学