一种高增益的宽带低噪声放大器的设计

作者：李海鸥; 余新洁; 陈永和; 傅涛; 谢仕锋; 张卫; 尹怡辉; 曾丽珍^*

来源：微电子学, 2023, 53(01): 1-7.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210486

• 低噪声放大器
• 自偏置
• ADS
• 负反馈
• GaAs

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺，基于ADS仿真，设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式，实现了3.3 V单电源供电。同时，设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构，实现了宽带匹配。仿真结果表明，该LNA在2.0～4.2 GHz频段内，最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右，输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

• 单位
  复旦大学; 专用集成电路与系统国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第三十四研究所; 桂林电子科技大学