22 nm FDSOI器件的制备与背偏效应研究

作者：李亦琨; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲; 王玉恒; 王昌锋; 廖端泉; 田明

来源：微电子学, 2019, 49(03): 431-435.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180355

• 全耗尽绝缘体上硅
• 后栅极工艺
• 背栅偏压
• 阈值电压

提出了一种基于后栅极工艺的22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压对长沟道和短沟道器件的阈值电压均有明显的影响。电路设计人员可以根据不同需求,选择工作在正向体偏置(FBB)模式或者反向体偏置(RBB)模式的器件。

• 单位
  华南理工大学; 华东师范大学