本发明公开了一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺,该工艺通过使用不同种类的胶带以及改变胶带处理次数等参数来调控场发射点,并使用砝码压实的手段让胶带和待处理场发射阴极薄膜贴合更加紧密,最大限度地发挥出胶带处理改善场发射性能的作用,达到改善阴极形貌、降低场屏蔽效应并最终提高场发射性能的目的。实验结果证实,本发明提出的工艺对提高场发射性能有着极大的作用,再通过选择最优的胶带处理次数等工艺参数能有效地降低场发射器件的开启和阈值电场强度,从而获得性能优异的场发射器件。
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