一种基于130 nm CMOS工艺的K波段混频器

作者：彭尧; 何进; 陈鹏伟; 王豪; 常胜; 黄启俊

来源：微电子学, 2017, 47(04): 483-486.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2017.04.010

• K波段
• 下变频
• 混频器
• 电流复用注入
• 吉尔伯特单元

基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄露,提高了增益,减小了噪声。仿真结果表明,输入射频信号为24 GHz,本振信号为24.5 GHz,本振输入功率为-3 d Bm时,该混频器的转换增益为25.8 d B,单边带噪声系数为6.4 d B,输入3阶互调截点为-8.6 d Bm。