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摘要
本发明公开了一种基质近红外长余辉荧光粉,发光材料为SrSnO3,采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。本发明还公开了基质近红外长余辉荧光粉的制备方法,其包括以下步骤：(1)按表达通式Sr1-xSnO3:xHo3+,分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；(3)将步骤(2)预烧后的样品取出,研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧,温度为1000℃～1300℃,时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。本发明的基质近红外长余辉荧光粉,通过Ho3+掺杂,其余辉强度提高约8倍,余辉时间从7s增加到32s。
- 单位
