用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

作者：孙祥乐; 高思伟; 毛渲; 龚晓霞; 余黎静; 宋欣波; 柴圆媛; 尚发兰; 信思树; 太云见^*

来源：红外技术, 2019, 41(08): 742-749.

• 电子束诱生电流
• 肖特基结
• p-n结
• InSb半导体器件

能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47mm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室; 昆明物理研究所