摘要
近似计算是超大规模集成电路(very large scale integration circuit,VLSI)设计与测试的新型设计方式。基于近似的思想,运算电路通过适当地牺牲运算精度来提高容错应用系统的性能。本文提出了一种具有混合结构的新型近似加法器,它可以产生不同精度的运算结果。本文对该加法器利用28纳米的全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)的工艺技术进行了电路综合。实验结果表明它的平均误差距离(mean error distance)优于其他近似加法器设计。相对于行波进位加法器(ripple carry adder,RCA),该近似加法器的速度比其快1.35倍,功耗也节约了16%。最后,本文通过该近似加法器在DCT/IDCT程序中的运用证明了其实际应用价值。
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