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摘要
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料，具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性，可以有效减小漏电流。采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜，并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试，分析和研究了影响磁控溅射氧化铝薄膜质量的因素。结果表明，退火后氧化铝薄膜的漏电减小，而且试样在氧气条件下退火的电学性能优于氮气条件。经过250℃氮气退火的试样漏电减小，5 V下漏电为9 nA左右，电容波动在10-1pF量级。而经过250℃氧气退火后的试样，5 V下漏电仅为0.3 nA，且电容波动较小（～0.03 pF）。
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