HIP法制备CuCr触头的真空电击穿特性

作者：郭阳阳; 王发展^*; 王永滨; 吕勤良

来源：金属热处理, 2020, 45(02): 181-185.

DOI：10.13251/j.issn.0254-6051.2020.02.034

• CuCr合金
• 热等静压
• 烧结温度
• 粒子半径
• 击穿场强

采用热等静压(HIP)固相烧结法制备了近乎完全致密、低氧、氮含量的CuCr合金材料,研究了在不同烧结温度下制备CuCr合金的Cr相颗粒度、电击穿场强及击穿区域,给出了CuCr合金Cr相粒子半径与击穿场强的关系式。结果表明:随着HIP烧结温度的上升,CuCr触头材料的Cr相颗粒度也将逐渐增大,导致真空电击穿场强减小,与此同时真空电击穿烧蚀面积增大,烧蚀坑深度逐步加深。

• 单位
  机电工程学院; 西安建筑科技大学