摘要

氢化非晶硅(a-Si…H)薄膜在微电子和光电子工业中有着重要的应用,而椭偏分析技术是一种重要的薄膜表征手段。利用椭偏测量技术并采用Tauc-Lorentz(TL)模型和Forouhi-Bloomer(FB)模型,从不同角度对比研究了a-Si…H薄膜的结构和光学特性。分析结果表明,用两种不同模型得到的a-Si…H薄膜厚度、粗糙层厚度以及光学常数并不一致,由TL模型得到的薄膜厚度更接近扫描电镜(SEM)测量的结果,粗糙层厚度更接近原子力显微镜(AFM)测量结果对应的经验值。结合已发表的文献,分析发现膜厚差异主要来自于模型对薄膜光学参数的不同描述,而光学参数的差异是由于模型推导过程中的不同假设和数学...

  • 单位
    光电信息学院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学